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　　由于美国政府制裁华为其从台积电采购芯片面对面视频游戏365◈★ღ◈，华为不得不转向中芯国际寻求芯片供应◈★ღ◈。但进一步的制裁措施禁止中芯国际采购极紫外（EUV）光刻设备面对面视频游戏365◈★ღ◈，导致中国企业目前仅能生产 7 纳米芯片◈★ღ◈。值得注意的是龙8long8国际唯一官方网站◈★ღ◈，这些芯片很可能仍依赖 ASML 的老旧深紫外（DUV）设备制造 —— 由于光刻设备的核心部件来自全球供应链（尤其是美欧国家）◈★ღ◈，中国目前尚不具备自主生产先进光刻机的能力面对面视频游戏365◈★ღ◈。高盛最新报告显示面对面视频游戏365◈★ღ◈，中国本土光刻设备行业的技术水平或落后 ASML 达 20 年之久◈★ღ◈。

　　光刻是芯片制造流程中的关键工序◈★ღ◈，其原理是将掩膜版上的芯片设计图案转移到硅晶圆上◈★ღ◈。ASML 的极紫外（EUV）及高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机等高端设备龙8long8国际唯一官方网站◈★ღ◈，能够在硅晶圆上刻蚀更小的电路图案龙8long8国际唯一官方网站◈★ღ◈，从而提升芯片性能龙8long8国际唯一官方网站◈★ღ◈。图案转移完成后面对面视频游戏365面对面视频游戏365◈★ღ◈，还需经过刻蚀◈★ღ◈、薄膜沉积◈★ღ◈、晶圆清洗等多道工序◈★ღ◈，最终形成芯片布局面对面视频游戏365◈★ღ◈。

　　由于光刻技术直接决定了晶圆上精细电路的复制能力◈★ღ◈，光刻设备已成为芯片制造流程中的核心瓶颈面对面视频游戏365◈★ღ◈。高盛在报告中强调◈★ღ◈，中国本土行业要达到 ASML 当前的芯片制造技术水平◈★ღ◈，至少还需要 20 年时间◈★ღ◈。

　　当前◈★ღ◈，台积电等领先芯片制造商已实现 3 纳米芯片量产◈★ღ◈，并正筹备 2 纳米产品的研发◈★ღ◈。高盛指出◈★ღ◈：“ASML 从 65 纳米技术迭代至 3 纳米以下◈★ღ◈，耗费了 20 年时间与 400 亿美元研发及资本支出◈★ღ◈。” 而中国本土光刻设备厂商目前仍停留在 65 纳米技术阶段龙8long8国际唯一官方网站◈★ღ◈，数据表明◈★ღ◈，其短期内追赶西方技术的可能性较低◈★ღ◈。返回搜狐◈★ღ◈，查看更多